Η δέσμη ιόντων (ion beam) IB και η εναπόθεση με χρήση δέσμης ιόντων (ion beam assisted deposition) IBAD, είναι καινούργιες τεχνικές για την τροποποίηση των επιφανειών των υλικών. Η ΙΒ συνίσταται στον βομβαρδισμό της επιφάνειας με τα κατάλληλα ιόντα υψηλής ενέργειας τα οποία ενσωματώνονται σε βάθος μέχρι και 1 μm. Πραγματοποιείται σε κενό και χαμηλές θερμοκρασίες κάτω από 150°C με ενέργεια από 20 έως 200 keV και ρεύμα ιόντων μέχρι 10 mA.
Η μέθοδος ΙΒΑΜ συνδυάζει την φυσική εναπόθεση ατμών (physical vapour deposition (PVD) ενός υλικού σε μια επιφάνεια με την εφαρμογή μιας δέσμης ιόντων χαμηλής ενέργειας.
Τα πλεονεκτήματα είναι ο σχηματισμός πυκνότερων επικαλύψεων με σταδιακή αύξηση της περιεκτικότητας του υλικού της βάσης της επικάλυψης. Η μέθοδος ΙΒΑΜ μπορεί να χρησιμοποιήσει σαν βάση ένα μεγάλο εύρος υλικών όπως: μέταλλα, πλαστικά, κεραμικά και να δημιουργήσει επικαλύψεις μεταλλικές, οξειδίων, νιτριδίων και καρβιδίων.
